Esta ICTS distribuída componse de tres infraestruturas:
Esta instalación dispone de una línea completa de micro-nano fabricación de dispositivos integrados sobre obleas de silicio (150 mm), ubicada en una sala limpia de 500 m2 que incluye las capacidades tecnológicas siguientes: litografía óptica (alineadores de máscaras y steppers) y de escritura directa por cañón de electrones, deposición de resinas y revelador, deposición de dieléctricos y metales, ataques químicos (húmedo y seco), implantador iónico, etc. Igualmente, se dispone de un laboratorio completo de ensamblado y encapsulado de componentes fotónicos integrados, laboratorios de caracterización física y óptica de dispositivos, así como un laboratorio de caracterización de sistemas y redes ópticas.
O equipamento e a instrumentación avanzada desta instalación permiten a fabricación de materiais electrónicos distintos do silicio, o seu procesado tecnolóxico e a obtención de dispositivos e estruturas integradas de tipo electrónico, óptico, optoelectrónico e magnético. Grazas ao seu sistema de litografía por feixe de electróns, é posible realizar estruturas de tamaño micrométrico e nanométrico. As instalacións constan de 400 m2 de salas limpas, 300 m2 de laboratorios de caracterización e 200 m2 de laboratorios de instrumentación e electrónica.
Sala Branca Integrada de Micro e Nano Fabricación do Centro Nacional de Microelectrónica do CSIC
O rango de aplicacións que se poden cubrir nesta instalación é moi amplo, incluíndo as biomédicas, o medio ambiente, a alimentación, a enerxía e a mobilidade, a seguridade, as comunicacións e a electrónica de consumo, etc. Para estas aplicacións as principais implementacións que ofrecen son dispositivos semiconductores incluíndo os dispositivos de potencia e os detectores de radiación, sensores, actuadores e MEMS (Microelectromechanical Systems), dispositivos e actuadores de nano escala e sistemas de Laboratorio nun Chip e os dispositivos poliméricos.
