Esta ICTS distribuïda es compon de quatre infraestructures:
Centre Nacional de Microscopía Electrònica de Madrid
Inclou un ampli rang d'equips de transmissió, agranament, microsondas, microscopía de forces i està equipat amb microscopis d'última generació dotats de correctors d'aberració. cal destacar l'existència de dos microscopis proveïts de la tecnologia més avançada del moment i que doten de singularitat al centre: un microscopi ARM 200cFEG corregit en sonda i equipat amb tècniques analítiques d'última generació, i un segon equip ARM300cFEG corregit en imatge (resolució 0,05nm). Estos dos instruments es complementen amb microscopis SEM avançats, així com un conjunt d'equips SEM/TEM (Transmission Electron Microscopy) que permeten abordar una caracterització completa tant a nivell estructural com composicional per a un estudi previ a la caracterització sub-Àngstrom.
Laboratori de Microscopías Avançades de Saragossa
El seu objectiu és dotar a les comunitats científica i industrial dels equipaments més avançats en microscopías de sonda local i microscopías electròniques per a l'observació, caracterització, nanofabricació i manipulació de materials en l'escala atòmica i molecular. A més, compta amb altres laboratoris de crucial importància per a la caracterització, processament i manipulació en l'escala nanométrica, entre els quals cal destacar una sala blanca (fotolitografía), tècniques de doble feix per a la preparació de mostres i altres mètodes de caracterització basats en espectroscòpia fotoelectrónica.
Divisió de Microscopía Electrònica de la Universitat de Cadis
Oferix una àmplia bateria d'equips de microscopía i tècniques de suport d'última generació entre els quals destaca el microscopi d'Ultra Alta Resolució FEIS Titan Themis 60-300. Este microscopi és l'únic a Espanya doblement corregit, en sonda i objectiu, que permet realitzar sobre una mateixa mostra estudis simultanis analítics i estructurals amb resolucions millors que l'Àngstrom.
Unitat de Microscopía Electrònica Aplicada de Materials de la Universitat de Barcelona
Compta amb equips de crie-microscòpia electrònica per a la caracterització de materials “sensibles” al feix, com en el cas de les mostres biològiques, mesures elèctriques in situ per a la caracterització estructural per precesión electrònica i anàlisi per microsonda per a la caracterització de minerals de composició complexa, així com microscòpia STEM.
En el seu conjunt, s'oferixen mètodes i tècniques avançades en microscòpia electrònica de transmissió i agranament per a l'anàlisi estructural de materials, preparació de mostres i tractament d'imatges i dades per mètodes computacionals, que permeten abordar la caracterització de materials complexos, tant inorgànics com a orgànics amb aplicació en biomedicina, catàlisi, materials intel·ligents, transport, energia i comunicacions.
